半导体纳米结构材料的功能化组装及其性能研究

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本论文主要致力于选择合适的生长条件与生长方式,以及研究不同固体材料的结构与功能特性来实现对半导体纳米结构的功能化组装,获得了一系列高质量的多功能化纳米结构单元,系统研究了功能组合的化学基础以及功能化纳米结构单元的物理化学性质,如磁学性质、光学性质以及可见光催化性能等,结果表明功能组装可以有效改善或改变纳米结构的物理、化学、机械性能或产生新的功能。具体归纳如下:1.一维CdS-Ni半导体-磁性功能复合纳米材料选择功能性强、应用广泛的半导体纳米结构作为研究对象。在合成高质量的CdS纳米线的基础上,利用水合肼诱导的溶液化学还原法得到的镍金属纳米颗粒对其进行磁性修饰,成功制备了一维CdS-Ni半导体-磁性复合纳米材料,研究了复合结构的生长过程和可能的形成机理。经过研究,我们发现在该实验条件下,Ni2+在CdS纳米线表面可以快速地进行离子交换反应生成厚度为5 nm左右的NiS壳层,该过程是动力学驱动的离子转换反应。我们在不添加N2H4·H2O和NaOH溶液的条件下进行了对比试验,得到了一维CdS@NiS核/壳复合结构从而证明了该过程的发生。在我们的实验体系里,乙二醇(EG)起着至关重要的作用,它可以与CdS纳米线外层的Cd2+离子和溶液中的Ni2+离子螯合形成中间配合物从而促进离子转换过程的进行。值得指出的是,在加热的条件下离子转换反应进行地非常快,反应进行10分钟后(添加或不添加N2H4·H2O和NaOH)我们只得到一维CdS@NiS核/壳复合结构。反应时间延长,NiS壳层逐渐变厚至一定的程度后达到一个平衡,即使反应时间延长至24小时也没有明显变化,这是由于壳层的形成可以阻止溶液中Ni2+离子与CdS进一步接触。阳离子转换反应的进行破坏了阴离子晶体格子排布的规整性,由此产生的晶体缺陷为溶液中的Ni2+发生氧化还原反应提供了结晶成核的位置,因而,NiS壳层的形成有利于Ni纳米颗粒在纳米线表面的沉积和非外延生长。延长反应时间,Ni纳米颗粒可能经历一个聚集驱动的形貌转化过程,趋向于生长成较大的颗粒,由于六方相CdS本身具有六方截面的结构特性,Ni颗粒甚至可以围绕CdS的六方截面生长成一个环。所得复合纳米材料的磁性在室温下进行了测定,结果显示Ni组份的铁磁性质在复合结构中得以保留。与Ni纳米颗粒或体相材料相比,复合纳米结构材料表现出明显减小的Ms和增强的Hc。通过对一维半导体CdS纳米结构进行磁性修饰,我们可以利用磁场方便地对其方向和位置进行操纵,可以解决纳米材料难以回收等难题,在实际应用方面具有特别重要的意义。2.外延、非外延生长制备一维CdS/α-Fe2O3、CdS/Fe3O4异质、功能组合纳米材料我们以Fe(NO33·9H2O为原料,通过溶剂热反应,将准立方形α-Fe2O3纳米粒子修饰到CdS纳米线表面,制备了一维CdS/α-Fe2O3半导体异质复合纳米材料。通过分析,我们发现两种半导体单晶组分之间具有清晰而且连续的界面,表明新化学键的形成。通过两种化合物的模拟ED衍射花样和晶体结构模型进一步研究了它们的晶体结构相关性和晶格匹配程度,对α-Fe2O3纳米颗粒围绕CdS纳米线的取向外延生长方式给予了合理的解释和说明,为对称性不同或晶格不匹配的纳米组份构建异质结构材料具有指导意义。有趣的是,经过深入观察我们甚至发现在CdS的同一晶面上生长的α-Fe2O3纳米颗粒具有相同的形貌和生长取向。探究了半导体复合纳米材料可见光催化降解污染物的性能,由于两种半导体导带能级的差异,CdS经光照后的光生载流子能够运输到其表面的Fe2O3上面。半导体Fe2O3对CdS纳米线的表面修饰能够起到促进CdS光生电子和空穴分离的作用,从而表现出优异的可见光催化性能。以FeCl3·6H2O为原料,通过溶剂热反应,将磁性Fe3O4微球修饰到CdS纳米线表面得到一维CdS/Fe3O4半导体-磁性功能复合纳米材料。分析发现表面粗糙的磁性微球是由许多小Fe3O4纳米粒子组装而成,整体表现为多晶态,其具有与Ni纳米颗粒相似的沉积成核和非外延生长行为。实验结果表明S2-与Fe3+(或Fe2+)之间存在着强作用力,S2-在外延、非外延生长合成异质结构的过程中起着非常关键的作用。我们探究了一维CdS/Fe3O4半导体-磁性功能复合纳米材料的光学、磁学性质及其可见光催化性能,CdS的荧光行为和Fe3O4的铁磁性质在复合结构中均得以保留,而且CdS的可见光催化性能亦未受到明显的影响。总之,我们的研究结果表明,将铁磁性或半导体组份与一维半导体结构进行组合,可以提高、改良半导体纳米结构性能或者产生新的功能,在纳米科技领域具有潜在的应用价值。3.基于一维CdS纳米结构的核壳型复合半导体的制备及其光催化性能研究以醋酸锌和硫脲为原料,无需任何预处理或者表面修饰,通过溶剂热反应直接将一层ZnS均匀沉积到CdS纳米线表面得到一维CdS@ZnS核-壳结构复合半导体。经过观察我们发现表面不平滑的ZnS壳层是由粒径为4 nm左右的ZnS纳米颗粒沿CdS纳米线表面生长形成的,其厚度在5~10 nm之间,CdS纳米线核的直径未发生明显变化。研究了反应条件对最终产物形貌的影响,发现溶剂对于核-壳复合结构的形成起着非常重要的作用;提高体系的反应温度,CdS表面的ZnS纳米颗粒具有较大的粒径尺寸,因而ZnS壳层变厚。宽带隙半导体ZnS对窄带隙CdS的修饰可以有效地钝化其表面电子态、抑制电子空穴复合,从而改善了材料的光学性质,发光强度有很大提高。复合材料可见光催化降解亚甲基蓝(MS)和对氯苯酚(4-CP)废水溶液性能的提高,亦证明了ZnS壳层对CdS纳米线核表面电子态的有效钝化作用。近年来,人们已经成功地将CdS纳米结构与多种半导体材料进行多种方式的组合,以提高其光效率。可是,既具有高的光催化效率,又能提高CdS热、机械或化学稳定性的半导体组合方式却鲜有报道。我们利用TBT的缓慢均匀水解反应对CdS纳米线进行包覆,500℃退火后成功合成了一维CdS@TiO2纳米电缆。研究发现TiO2壳层的存在既可以提高CdS纳米线的热稳定性,又有助于CdS光生电子-空穴的快速分离,从而能提高其光催化性能,在实际应用方面具有特别重要的意义。4.新型Bi-Ca-O体系可见光催化剂的制备及性能研究目前,提高半导体纳米结构光催化材料的可见光利用率及光催化效率,寻找新型、高效光催化剂已经成为一个新的研究热点。结合前几章的研究思路:功能复合能够有效地提高或者改良半导体纳米结构的性能。我们用聚合物配位与共沉淀相结合的方法,通过控制退火温度得到了一系列新型的纯相和复合相Bi-Ca-O系可见光光催化材料,并对其光学性质和可见光(λ>420 nm)范围内的光催化性能进行了探究。
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