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有机电致发光二极管（Organic Light-emitting Diodes,OLED）具有重量轻、宽视角、驱动电压低（3-12V）、低功耗、可弯曲和高色纯度等诸多突出的性能,受到国内外研究人员的青睐。传统的OLED的阳极材料一般选用氧化铟锡（Indium Tin Oxide,ITO）,但ITO具有制备工艺复杂、易碎、成本高、不可弯曲等缺点,不符合现代人们对可穿戴设备的要求。铜纳米线（Copper Nanowire,CuNWs）/二硫化钼（Molybdenum Disulfide,MoS2）复合透明电极可以很好的满足人们的需求。本文介绍了水热合成法制备CuNWs以及液相超声法制备少层MoS2,为了防止CuNWs被快速氧化,在CuNWs透明导电薄膜上旋涂了一层MoS2纳米片溶液,为了进一步提高复合透明薄膜的功函数,我们旋涂了一层聚（3,4-乙烯二氧噻吩）-聚苯乙烯磺酸（PEDOT:PSS）溶液。最终制备出具有高透过率、低方阻的CuNWs复合透明阳极和高性能的OLED器件。本文主要包括以下几部分内容:第一,生长CuNWs,利用十八烷基胺(C18H39N,ODA)、二水合氯化铜（CuCl2?2H2O）以及抗坏血酸（C6H8O6）制备CuNWs。系统地研究了不同条件对CuNWs生长的影响,使用扫描电子显微镜（Scanning Electron Microscope,SEM）、原子力显微镜（Atomic Force Microscopy,AFM）以及光学显微镜（Optical Microscope,OM）等设备对CuNWs的形貌进行表征,最终生长的CuNWs的平均长度大于110μm、平均直径约为40nm。第二,类石墨烯MoS2纳米片的制备,将体材料MoS2和N-甲基吡咯烷酮（C5H9NO,NMP）溶剂按照一定摩尔比进行混合,通过超声剥离得到类石墨烯MoS2纳米片。并系统研究了超声功率、超声时间、MoS2粉末和NMP的摩尔比例对MoS2剥离效率和形貌的影响。最终得到如下结论:当NMP为25ml,MoS2粉末为1g,超声时间为12h,超声功率为360w,超声温度约为6℃时,剥离的类石墨烯MoS2效率最高,横向尺寸约为11μm,层数约为四层。第三,CuNWs/类石墨烯MoS2复合透明导电薄膜的制备。使用真空抽滤和压片法,将CuNWs均匀沉积至PET上,通过此方法制备的CuNWs透明导电薄膜具有很好的性能（当方阻为31.93?/sq时,平均透过率为90.794%）。我们通过在CuNWs导电网格上旋涂一层类石墨烯MoS2纳米片溶液来隔绝氧气、降低CuNWs表面的粗糙度和提高薄膜的导电性。第四,柔性绿光OLED器件的制备。为了进一步提高CuNWs/MoS2复合薄膜的功函数,在此复合薄膜表面旋涂了一层PEDOT:PSS溶液,制备成CuNWs/MoS2/PEDOT:PSS复合透明阳极。最终制备出柔性绿光OLED器件,与CuNWs/PEDOT:PSS作为阳极的OLED器件相比,器件的电流密度提高了约446%,最大亮度提高了近133%。