地基大口径大视场光电望远镜在天文巡天和碎片观测中承担着重要的工作,由此带来的就是对大靶面探测器的需求。虽然国内外大靶面的探测器不断推出,已有6k×6k、9k×9k、10k×10k探测器被研制出来,但单个CCD或CMOS探测器的靶面尺寸仍不能满足大口径大视场光学探测的需求,采用多探测器拼接技术实现大口径大视场探测成为切实可行的技术途径。本文就CCD拼接相机中的多CCD靶面拼接技术、拼接相机制冷绝热技术进行了研究。分析了靶面拼接、相机制冷绝热中的关键技术及技术难点,以及CCD芯片参数以及靶面拼接精度对空间暗弱目标探测的影响。设计了基于三点运动学支承的9片4k×4k芯片3×3拼接的相机靶面拼接方案,以实现在一般机械加工精度条件下,使用量产(非订制)可拼接CCD芯片,通过更便捷的装调方式,完成多CCD大靶面高精度拼接。设计了基于非接触式轮廓测量原理的靶面拼接平整度检测方案,以实现大尺寸拼接靶面表面平整度检测,并对拼接靶面检测装调过程进行了阐述。仿真分析了不同冷板材料的靶面重力变形,在保证靶面重力变形不妨碍拼接精度的前提下,综合考虑了冷板加工和热导性能,对冷板材料进行了选择。分析了CCD芯片制冷对暗弱目标观测的重要性和影响相机制冷的因素,对相机漏热途径进行了分析,进而针对不同的漏热途径进行了绝热设计,并在相机漏热理论计算的基础上,设计了相机杜瓦真空绝热制冷方案。在相机杜瓦热仿真分析过程中采用了设定制冷温度求解所需功率的方案,对相机杜瓦及芯片组件制冷温度分布进行了求解,同时得到了设计制冷温度下相机制冷所需功率;通过对相机杜瓦内部的温度分布以及芯片制冷所需功率的分析,再结合相机制冷方案的制冷性能,验证了相机制冷绝热方案的可行性。