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Heterojunction with Intrinsic Thin-layer (HIT)结构使得在低温工艺下制备高性能的太阳能电池成为可能,是目前太阳能电池领域的研究热点。本文从HIT电池的效率损失机制入手,通过制备工艺的改进减少相应的损失以提高电池性能。首先在HIT电池的背面制备铝背场,通过工艺优化,在烧结温度为700℃时制备出有效少子寿命分布均匀,平均值大的样品,抑制了少数载流子在硅片背表面的复合;在制备铝背场时形成的良好铝-硅合金有很低的电阻率,作为电池的背电极可以形成良好的欧