本论文对ECR_PAMOCVD外延生长C_GaN膜过程中各个阶段等离子体的电子温度、电子能量分布、空间电位、电子（离子）密度以及粒子种类等微参数进行了研究，并进一步探讨了它们对衬底预处理的影响。实验证明衬底的预处理对立方GaN外延生长的速度和质量是至关重要的。因此，了解等离子体预处理（清洗、氮化）过程中氢、氮等离子体的微参数对改进实验是有必要的。 本论文组建了一套静电探针数据采集系统，并设计了配套的数据采集与处理软件。通过此系统对ECR_PAMOCVD外延生长立方GaN过程中的等离子体不同条件下的部分参数（电子温度、电子能量分布分、空间电位、电子/离子密度）的变化情况进行了测量。另外，在他人工作基础之上又重新设计了GDS₅0光栅双单色仪的上位机扫描控制软件，采用该系统对外延生长实验中不同条件下的等离子体发射光谱进行了测量，进而通过分析确认了等离子体中的主要粒子种类以及其含量随放电条件的相对变化。结合具体的外延生长实验讨论了不同实验条件对衬底等离子体预处理以及立方GaN膜外延生长的影响，为进一步优化实验条件提供了一定依据。