【摘 要】
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能够有效地对无机化合物的结构、尺寸和形貌进行控制,是制造各种纳米器件非常重要的前提条件。半导体传感器具有反应灵敏、寿命长等优点,为了进一步提高半导体传感器的性能,科研工作者进行了大量研究工作,如采用化学手段对半导体氧化物的结构、尺寸和形貌进行控制。三氧化钨具有特殊晶体结构和物理及化学性质,通过不同的方法制备具有特殊维度结构的三氧化钨粉体材料的研究比较广泛,但都存在可控性低、生产效率低、工艺复杂等缺
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能够有效地对无机化合物的结构、尺寸和形貌进行控制,是制造各种纳米器件非常重要的前提条件。半导体传感器具有反应灵敏、寿命长等优点,为了进一步提高半导体传感器的性能,科研工作者进行了大量研究工作,如采用化学手段对半导体氧化物的结构、尺寸和形貌进行控制。三氧化钨具有特殊晶体结构和物理及化学性质,通过不同的方法制备具有特殊维度结构的三氧化钨粉体材料的研究比较广泛,但都存在可控性低、生产效率低、工艺复杂等缺点。因此通过一种操作简单、成本较低、具有产业化前景的方法,获得具有可控纳米尺寸、形貌均匀的WO3纳米材料
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