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氧化锌(Zinc oxide,简称ZnO)是禁带宽度为3.37eV的II-VI族宽禁带n型半导体氧化物。在室温条件下,ZnO的激子束缚能高达60meV,由于其优良的光学和电学特性,ZnO在发光二极管、气敏传感器、太阳能电池及压敏传感等领域具有重要应用。ZnO材料的结构和光电特性对于ZnO基器件的性能将产生重要影响。研究表明,掺杂方法可以制备出结构和光电性能更加优异的ZnO材料。本论文综述了掺杂ZnO薄膜的晶体结构和光学特性,讨论各种制备ZnO薄膜方法的优缺点。本论文采用了成本低廉、易于操作的超声喷雾