近年来,热激活延迟荧光（TADF,thermally activated delayed fluorescence）材料,因为不用重金属就可以实现接近100%的内量子效率,作为第三代有机电致发光材料近年来受到人们广泛关注。TADF材料的单重态-三重态激发态能量差（△EST）很小,可以将三重态（T1）激子反系间窜越（RISC）到单重态（S1）,跃迁回到基态发出荧光,实现了 100%的内量子效率,它能有效的弥补了荧光材料效率低和磷光材料含有贵金属的缺点。电致发光器件的制备工艺主要包括真空蒸镀法和溶液法两种。溶液加工法相对真空蒸镀法来说,不仅具有明显的成本优势,制备工艺简单,而且可以制备出大面积器件,被认为是实现大面积显示和大规模生产的重要途径。本论文主要研究采可溶性TADF材料在溶液法有机发光二极管（OLED）器件和量子点发光二极管（QLED）器件中的应用。首先,探索了不同的空穴传输层（H T L）对溶液法制备的非掺杂树枝状大分子TADF-OLED器件性能的影响,发现HTL的加入有利于载流子平衡和器件性能的提高。然后,探索了不同的HTL、电子传输层（ETL）和EML厚度等对选择经典的蓝光TADF材料DMAC-DPS作为发光层（EML）的TADF-OLED器件性能的影响。通过对器件结构的优化,最终制备出在降低了启亮电压的同时又保持着较高效率的可溶性非掺杂TADF-OLED器件。最后,探究可溶性TADF材料在QLED器件中的应用。研究发现,TADF材料在QLED器件中可以提高空穴的传输率,平衡载流子,同时TADF材料中的RISC过程可以提高激子利用率,还可以通过F（?）rster共振能量转移过程将能量传递给QDs层发光,提高QLED器件的发光效率。