ZnO是一种典型的直接带隙宽禁带半导体材料,在室温下的禁带宽度为3.37 eV、激子结合能达60 meV。一维ZnO纳米结构(如,纳米线、纳米棒)既具有ZnO稳定的化学性质、良好的光电压电特性,又具有纳米结构材料独特的物理化学性质,已经广泛地应用于纳机电系统、光催化、发光二极管、传感器、太阳能电池、光电探测器等领域。目前,高性能ZnO基紫外光电探测器面临的问题是缺乏稳定的p型宽禁带半导体材料。本研究在ZnO纳米材料研究的基础上,采用有机小分子菲、有机聚合物聚(2,5-二丁氧基苯-1,4-二基)复合ZnO纳米棒阵列,构建ZnO基有机无机异质结紫外光电探测器。通过扫描电子显微镜(SEM)、扫描电子显微镜能谱仪(EDS)、透射电子显微镜(TEM)、X射线衍射分析仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)、紫外-可见-红外(UV-Vis-NIR)吸收光谱、荧光光谱(PL-PLE)、拉曼(Raman)光谱及Keithley 2400对材料与器件进行了表征测试与分析。论文的主要内容及结论如下:1.我们在溶胶-凝胶法合成的ZnO纳米薄膜基础上,通过水热法制备了结晶性良好的一维ZnO纳米棒。研究了一维ZnO纳米材料的可控性生长条件、光学性质,并对Ag/ZnO纳米棒/ITO金属-半导体-金属型紫外光电探测器的性能做了进一步分析。2.在Ag/ZnO纳米棒/ITO紫外光电探测器的基础上,引入有机小分子菲(phenanthrene)对ZnO纳米棒阵列进行功能化处理,形成的ZnO纳米棒/菲的异质结紫外光电探测器。有机小分子菲的引入,可以增强紫外光吸收,导致光电流增大,从而提高紫外光电探测器的响应率和探测率。3.为了提高紫外光电探测器的稳定性,采用有机聚合物聚(2,5-二丁氧基苯-1,4-二基)(Bu-PPP)与ZnO纳米棒阵列复合来组装ZnO纳米棒/Bu-PPP的异质结紫外光电探测器。有机聚合物Bu-PPP与ZnO纳米棒阵列的紧密接触不仅能够增强紫外光的吸收,同时也能够有效收集和传输载流子,大大提高了紫外光电探测器的性能。