本文对碳化硅离子注入和欧姆接触的特性进行了深入的研究，分析了不同晶型和沟道效应对于离子注入结果的影响，分别给出了蒙特卡罗模拟软件TRIM对P、N、Al离子注入SiC中杂质浓度分布的模拟结果，该结果给出了离子注入实验中的注入能量和剂量值。研究了TRIM模拟的结果和实验值之间存在的差异，发现可以用PearsonⅣ型函数对TRIM模拟的结果进行修正，能适当的解决沟道效应的影响。研究了获得低阻高稳定性的欧姆接触的方法和途径。分别提出n型和p型SiC欧姆接触的形成机理能带模型，给出了选用适当欧姆接触金属的方法，讨论了欧姆接触稳定性，研究了制备良好欧姆特性的欧姆接触工艺条件。为了减少工艺难度，研究了同时制作n型和p型SiC欧姆接触的可行性，为以后改进工艺提供了依据。设计出制备高性能欧姆接触的工艺流程，讨论了制备中可能遇到的问题并提出了解决方法并进行了实验流片。本文的工作不仅对碳化硅离子注入模拟方法提出了新的思路和见解，而且还提出了说明SiC欧姆接触的形成机理的能带模型并给出了优化工艺流程，为进一步开发碳化硅材料欧姆接触的实现工艺打下了良好的基础。