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电子产品逐渐向轻、薄和小发展,从而导致在能量存储方面形成了巨大的需求。由于平面微型超级电容器(MSCs)作为新的能量存储器件具有很高的性能,且其能够和微纳器件集成提供有效的电荷能量。本文采用旋涂法制备不同参数(转速,层数)的氧化石墨烯(Graphene Oxide,GO)薄膜,利用HI酸还原制备出还原氧化石墨烯(Reduced Graphene Oxide,RGO)薄膜。AFM、XPS、XRD和四探针测试表明,当旋涂层为一层且转速高(2500 r min~(-1))时,制备的RGO薄膜很薄(6nm)