MEMS技术的发展推动了更高效,更小型化微通道的发展。由于微通道有着优良的性能,特殊的结构,因而有广阔的应用前景,目前经过科研人员的努力,微通道已经可以应用在微通道板,微型化工设备,微型全分析系统(miniaturizedtotal analysis systems,μ-TAS),微型热传导设备以及制备微胶囊等。目前由于硅微通道板在高增益低噪声、改善图像分辨率、工艺兼容性以及稳定性方面具有传统玻璃纤维微通道板无法企及的优势,受到了人们的重视。本文研究了硅微通道板氧化的各种条件和影响氧化质量的因素,采用计算机辅助软件进行模拟和分析,提出了几个解决氧化过程中出现的问题的行之有效的方法。本文第一章首先对微通道及其应用做了介绍和说明,介绍了微通道的主要制作技术,并陈述了本文所开展的主要工作。第二章介绍大深宽比硅微通道的形成原理,并研究了电化学刻蚀过程中各种参数对P型硅微通道板形态的影响。第三章则介绍了制备大深宽比硅微通道的工艺流程。第四章介绍了大深宽比硅微通道的氧化的各种情况,氧化的工艺步骤以及氧化过程中出现的问题。第五章对大深宽比硅微通道氧化过程中出现的问题进行了理论分析,并使用计算机辅助软件FEMLAB对微通道板氧化的情况进行了分析。第六章对全文进行做全面总结,并对硅微通道技术的应用作展望。