论文部分内容阅读
该文研究采用的铜单晶体取向为[1<-> 2 3]和[1<- > 4 9],均为单滑移取向.经恒塑性应变幅控制的对称拉—压疲劳实验后,形成PSB梯状结构.对疲劳样品在不同温度下,保温不同时间处理,发现PSB平均宽度减小,并在一定条件下,PSB和脉络结构可完全消失.讨论了热处理过程中由于空位浓度差异所引起的渗透力促进位错运动的因素.同时也讨论了林位错等作用力阻碍位错运动的因素.分析表明:退火处理促使位错运动而导致位错湮灭,从而使位错密度降低并使PSB细化以至消失.利用扫描电子显微镜(SEM)电子通道衬度(ECC)技术观察疲劳过程中驻留滑移带结构的形成和发展.对[1<-> 2 3]取向的铜单晶体的研究表明:铜单晶体在疲劳过程中首先出现基体位错墙,然后形成驻留滑移线(PSL)结构,经过不长的循环周次,PSB萌芽沿着PSL形成一个中间长,两头短的椭圆梯状位错墙结构.随着循环周次的增加,PSB萌芽沿着PSL向两头长大,最后形成完整的梯状PSB结构.在热处理过程中,在完整的PSB梯状结构中首先出现颈缩,形成一个梯状结构墙中间宽,两端窄的椭圆形区域,就如同PSB形成过程中出现的萌芽.随着退火温度或退火时间的增加,PSB将分成几个部分分别消失.疲劳过程中的铜单晶体虽然含有较大的畸变能,但晶格畸变能存储在偶极子中.在退火过程中,偶极子的湮没将导致它所存储的畸变能的逐步释放.表面经过电解抛光处理的疲劳铜单晶体由于表面残余应力部分释放,所以在这种条件下没有观察到再结晶现象.可是对表面含有划痕的[1<-> 2 3]取向的铜单晶体,疲劳实验后热处理,在晶体中发现再结晶和孪生现象.对接近双滑移取向的[0 1 3]铜单晶体,在形成PSB和迷宫结构以后热处理,实验发现,PSB结构将先于迷宫结构消失.