氧化铍陶瓷基板因其具有高热导率、良好的介电特性和理化性质被广泛应用于大功率模块的封装、电真空器件和核工业领域。氧化铍属于陶瓷材料,受材料和工艺的限制,氧化铍陶瓷基板表面存在大量的气孔,粗糙度较大,导致制作在表面的薄膜器件和电极的完整性和功能受到不利影响,严重的甚至导致电路/器件失效,限制了氧化铍陶瓷基板在高密度微波电路和薄膜器件方面的应用。抛光虽然可以提高基板表面平整度,但是仍然会有气孔残留在基板表面,而且抛光成本过于高昂,因此,急需寻找一种可以以较低的成本来降低表面粗糙度的方法。本课题组具有多年的对陶瓷基板改性的技术和经验积累,本论文在此基础上,借鉴已有的对99氧化铝陶瓷基板的平整化改性技术,研究并开发了氧化铍陶瓷基板的改性技术。在不改变氧化铍陶瓷基板其他性质的前提下进行改性,根据热匹配理论,在99氧化铝陶瓷基板改性釉配方基础上,调整、设计出与氧化铍陶瓷基板热匹配、相对介电常数接近基板的改性釉配方。利用固相法制备改性釉熟料,制备出适用于丝网印刷工艺的浆料;改进丝网印刷工艺,采用丝网印刷工艺制备出具有一定厚度、表面平整的改性釉层。研究烧结制度对改性基板表面平整度的影响,制备出一批表面光滑平整、无气孔大颗粒等缺陷的改性基板。在10×10μm2范围内,实现表面粗糙度算术均值Ra为0.273 nm,峰谷值P-V为2.8 nm;在20×20 um2的范围内,Ra为0.5 nm;在100×100 um2的范围内,Ra为0.62 nm;在2000×2000 um2的范围内,Ra为31.68nm,改性后的氧化铍陶瓷基板的表面平整度可低至纳米甚至亚纳米尺寸。研究了平整化改性对基板介电性能、绝缘性、抗弯强度和热导率的影响,研究表明,改性几乎未对这四方面性能产生影响,平整化改性实现了在不改变基板其他方面性能的前提下,降低表面粗糙度。