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脉冲调制射频Ar/D2和Ar/H2感性耦合等离子体特性的实验研究
【摘 要】
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感性耦合等离子体源(Inductively coupled plasma,ICP)是微电子刻蚀工艺中常用的高密度等离子体源之一。随着半导体芯片的集成度越来越高,器件的特征尺寸不断缩小,工业上对刻蚀等工艺的要求也越来越严格。为满足这些要求,人们提出使用脉冲调制射频等离子体。这是因为脉冲调制射频等离子体中,在脉冲关闭阶段,等离子体体区的负离子能够扩散到刻蚀槽表面,中和其表面积累的正电荷,从而减弱等离子
【机 构】
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大连理工大学
【出 处】
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大连理工大学
【发表日期】
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2020年02期
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