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ABO_3型钙钛矿结构的铁电体具有众多突出的物理性能,例如压电性能、铁电性能和热释电性能等,其在红外传感器、变频器和存储器方面具有重要的应用背景。由于其与半导体在结构上有很大差异,不可避免的会产生界面反应和某些致命缺陷,从而极大的限制了ABO_3型钙钛矿铁电体在集成领域中的应用。近年来人们通过添加种子层、缓冲层或者直接将某几种铁电薄膜材料复合在一起的方法,达到改善铁电薄膜性能的目的。本文以具有ABO_3钙钛矿结构的PbNbx(Zr_(0.2)Ti_(0.8))O_3和BiFeO_3薄膜为研究对象,首