具有强近红外（NIR）吸收的窄带隙共轭聚合物在光电、传感、通讯及医疗领域具有广阔的应用前景,然而受限于受体单元的发展,广泛用于构筑窄带隙共轭聚合物的给体-受体（D-A）策略难以实现聚合物在近红外二区（NIR-Ⅱ）的强吸收。研究表明,提高聚合物骨架的醌式特征是另一种降低聚合物带隙的有效策略。基于此,本论文设计合成了以噻吩取代吡咯并吡咯二酮（DPP）为核、吲哚酮及其衍生物为端基的缺电子醌式单元,并以此构筑了系列窄带隙共轭聚合物,详细研究了聚合物的理化性质和有机薄膜晶体管（OTFTs）器件性能。主要结论如下:1、通过靛红的选择性亲核加成、脱羟基和氧化反应合成了DPP醌式化合物,并以之为受体单元,采用Stille缩聚合成了聚合物PQ-BT、PQ-FBT、PQ-Me OBT、PFQ-BT、PFQ-FBT和PFQ-Me OBT。所得聚合物均在NIR-Ⅱ区具有强吸收,光学带隙小于1.05 e V,并表现出良好的NIR-Ⅱ区光热转换性质。所有聚合物均呈现双极传输行为,在金电极和聚合物之间引入界面修饰层三氧化钼（Mo O3）和乙氧基化的聚乙烯亚胺（PEIE）,可分别测得可信的空穴和电子迁移率,最高空穴和电子迁移率分别为0.20和0.15 cm~2V-1s-1。2、基于氟代吲哚酮封端的DPP醌式化合物和多卤代噻吩衍生物,采用直接芳基化缩聚（DAr P）合成了聚合物PFQ-4F2T、PFQ-4Cl2T、PFQ-4FTVT和PFQ-4Cl TVT。其中,PFQ-4F2T在NIR-II区具有强吸收,最大吸收峰值为1020nm,光学带隙为1.08 e V。基于四个聚合物的OTFTs器件经PEIE修饰后均呈现纯n型传输特性,其中,PFQ-4FTVT的电子迁移率最高,达到0.21 cm~2 V-1 s-1。