超宽带微波低噪声放大器研究

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现代的通讯系统随着信息量的爆炸增长,对于带宽,信息容量的要求与日俱增。超宽带(UWB)无线通讯技术的出现能够很好地解决上诉问题。而低噪声放大器电路作为超宽带接收机的前级电路,其性能关系着整体的带宽,噪声系数,灵敏度,线性度等关键性指标。因此,设计在多倍频程内具有平坦增益的低噪声放大器是实现超宽带通讯系统的核心技术之一,具有重要的研究价值和广阔的发展前景。与此同时,单片微波集成电路技术发展迅速,由于其具有小体积、良好的一致性、高稳定性,批量成本低等特点,被广泛应用于最新低噪声放大器电路的研制中。对比了四种不同的宽带拓扑结构,结合设计带宽要求,采用行波分布式结构理论,对超宽带匹配问题进行了研究,其核心思想是将晶体管的输入输出电容与级间电感结合构成了栅极与漏极等效人工传输线,设计的人工传输线的等效特性阻抗等于端口阻抗,实现了超宽带多倍频程匹配。采用窄微带线(带状电感器)实现所需电感,螺旋电感器寄生电容太大而不适用。基于分布式原理,可知栅极,漏极线存在一定的损耗且随频率改变,结合晶体管的等效电路模型,MMIC工艺设计参数及分布式放大器原理,导出电路最优节数optN的计算公式。传统分布式放大器增益较低,所以采用共源共栅结构代替共源结构,可以得到较低的栅-漏反馈电容和较高的输出并联电阻,使电路具有较宽的频带、较高的增益和较高的线性度。而这仅仅增加了少量的版图面积。针对栅源电容远大于漏源电容导致栅极线与漏极线相速不均衡的问题,在漏极传输线上串联一个m衍生节,可以有效得均衡相速,确保信号在漏极同相叠加输出。基于法国OMMIC 0.15?m GaAs pHEMT工艺加工制作了5级分布式放大器单片电路。测试的时候需要用到容值较大的离片电容元件作为去耦和低频段扩展使用,将外置元件与芯片封装成模块。结果表明,芯片在0.5-18GHz增益大于10dB,不平坦度小于±1d B。输入回波损耗小于-10dB,输出回波损耗小于-12dB,带内噪声系数平均3.5dB。芯片面积为1.8mm×1.2mm。
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