钙钛矿材料具有优良的光电转换性能,如太阳光吸收波段宽,激子结合能较低以及双极性传输等,这使得钙钛矿太阳能电池飞速发展,目前器件的最高认证效率已达25.2%。在钙钛矿电池制备工艺中,钙钛矿功能层在采取一步法制备时,钙钛矿中会存在不饱和金属或卤化物离子等各种缺陷,而这些缺陷将会导致界面出现陷阱,导致器件的性能的下降,为了解决这个问题,界面处的界面优化和界面处电荷转移研究变得十分重要。本文首先探究了制备倒置结构钙钛矿太阳能电池。以ITO/空穴传输层/MAPbI3/PCBM/Ag器件结构为基础,对空穴传输层对器件的影响以及界面处的影响展开研究。首先,研究了反溶剂在MAPbI3功能层结晶时滴加时刻对其的影响以及PCBM层厚度对器件光电转换效率的影响。其次,研究了GO作为衬底时其厚度对CH3NH3PbI3薄膜形貌和光电特性的影响。最后,研究了 WS2作为空穴传输层时其厚度对CH3NH3PbI3薄膜形貌和光电特性的影响。并从能级匹配,PL光谱强度,晶粒生长角度对比了 GO/CH3NH3PbI3和WS2/CH3NH3PbI3界面处的电荷转移。研究表明:采取一步旋涂法制备钙钛矿功能层时,在以3000 r.p.m.在第9秒时滴加300 μL反溶剂得到的钙钛矿薄膜表面最为平整,无孔洞,晶界明显,晶粒生长较好,效率达到6.93%;电子传输层在30 mg/ml浓度PCBM溶液旋涂制备时器件效率最好,达到了 7.69%。其次,由0.25 mg/ml分散液浓度对应的GO衬底上制备的钙钛矿薄膜晶粒尺寸在实验中是最大最均匀的,其最大尺寸为900 nm,薄膜表面晶界明显平整致密。对应的太阳能电池的光电性能最佳,其Voc为0.978 V,Jsc为19.92 mA/cm2,FF为0.45,PCE为8.69%。当溅射功率为3 Pa时,对应的WS2衬底上制备的钙钛矿太阳能电池的光电性能最佳,其Voc为0.99 V,Jsc为20.81 mA/cm2,FF为0.32,PCE为5.70%。最后,GO和WS2分别作为衬底时,主要影响了 CH3NH3PbI3晶粒的生长,使得钙钛矿晶界处发生的非辐射复合不同,进而改变界面处电荷转移。