硅漂移探测器(SDD，SiliconDriftDetector)的电容很小，一般为100fF～200fF。该电容主要由探测器的收集阳极面积决定，与整个探测器的有源区面积关系不大，因此探测器的电子学噪声很小，探测器的能量分辨率很高，最好达128eVFWHM(对55Fe5.9keV-15℃)。由于探测器内部具有侧向的漂移电场，载流子可以快速的被探测器阳极收集，探测器的成型时间很短，一般小于1μs，因此探测器的时间分辨率很高，探测器的计数率高达1000kcps以上。探测器的工作温度可通过半导体制冷器达到，不需要用液氮制冷，因此探测器结构紧凑，使刚方便。 硅漂移探测器埘能量范围为1keV～2()keV的X射线具有很高的探测效率，通过与闪烁晶体的耦合还可以提高对高能X射线和γ射线的探测效率，因此其广泛应用于元素的X荧光分析，核物理和天体物理。从1983年硅漂移探测器的提出，至今已有二十多年的历史，国外只有为数不多的研究机构能制作特性优良的硅漂移探测器，国内对硅漂移探测器的研制才刚刚起步。北京师范大学低能核物理研究所新器件实验室和中国科学院高能物理研究所合作，从2006年开始开展了硅漂移探测器的研制工作。本论文对硅漂移探测器的研制，开展了以下的研究： (1)理论闸述硅漂移探测器的工作原理，设计探测器的结构—螺旋型漂移环和多保护环，采用高阻区熔硅片、利用离子注入的方法进行探测器的工艺流片； (2)实验测量探测器芯片的电学特性和光电特性，电学特性包括漂移环的总电阻、漂移环上的电势分布、探测器内部主要PN结特性、工作状念下探测器阳极的漏电流(最好达到0.28nA水平)和阳极的悬空电位；光电特性包括探测器有源区的响应度(对850nm激光最高达512mA/W)分布、不同位置的光电子漂移时间(有源区边界漂移时间约3μs)的测量。总结分析实验测量数据，设计探测器的工作电压，提出快速检测探测器芯片的方法； (2)进行探测器：芯片的封装实验，包括聚四氟乙烯材料电路基板的简易封装和采用氧化铝陶瓷材料电路基板的T08管壳封装。对封装完成的探测器进行特性检测。