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脉冲功率开关是脉冲功率系统重要组成之一，逐渐朝着更高性能的方向发展，反向开关晶体管RSD（Reversely Switched Dynistor）由俄罗斯科学家提出并研制成功。该器件相比IGBT、SCR等而言，具有高di/dt、低损耗以及易串联等优点。随着宽禁带碳化硅材料的出现，考虑SiC材料的特性和Si基材料的局限性，SiC RSD相比Si RSD会具有更低的导通损耗、高频特性以及高耐压等优势。 本文讨论了SiC RSD的预充时间对开通特性的影响，分析了结构参数对开通特性的影响并利用正交设计优化，研究了SiC RSD的预充雪崩耐量和芯片失效测试分析，其研究如下： 利用所构建的RSD结构二维模型讨论了在等量预充电荷下SiC RSD预充时间对开通特性的影响，得到SiC RSD的最佳预充时间为0.25μs，分析了比Si RSD的最佳预充时间2.0μs小的原因；研究了4kV SiC RSD七个结构参数对开通特性的影响，再利用正交设计优化，得到一组最优参数组合；比较SiC RSD与Si RSD的电热学重频特性，得出SiC RSD重频特性更佳。 分析得到了SiC RSD的预充过程雪崩耐量理论值为3.16J，通过仿真得到了SiC RSD的安全预充电流工作范围为：9.08A
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