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近年来,半导体纳米晶已然成为人们研究的热点；由于纳米晶尺寸小而具有独特的光学性能和电学性能,在发光二极管、太阳能电池、生物科学领域有着巨大的应用潜力。本文采用水相合成法合成了ZnSe纳米晶和核壳结构ZnSe/ZnS纳米晶,并分别研究了ZnSe纳米晶及核壳结构ZnSe/ZnS纳米晶掺杂有机聚合物的电致发光器件的性能。主要内容简单摘要如下：采用水相合成法制备了ZnSe纳米晶和ZnSe/ZnS纳米晶,利用X射线衍射(XRD)分析、X射线光电子能谱(XPS)分析和高倍透射电子显微镜(TEM)分析证实合成晶形较好的单核纳米晶和核壳结构纳米晶。通过控制不同反应条件研究ZnSe纳米晶的发光特性和吸收特性,证实随着回流时间增加纳米晶粒径也在增加,发光峰和吸收峰发生红移；反应的最佳PH值应为10左右,此条件下纳米晶缺陷发光相对较弱。实验表明合成的ZnSe/ZnS纳米晶具有较好的稳定性。将制备得到的ZnSe纳米晶掺杂聚合物MEH-PPV(聚(2-甲氧基-5(2’-乙基已氧基)对苯乙炔))作为发光层,制作有机无机共掺复合的电致发光器件,研究得出在MEH-PPV和ZnSe纳米晶的质量配比为1：1时器件的亮度和效率最好。引入LiF做为阴极修饰层,对器件性能进行提高。将制备得到的核壳结构ZnSe/ZnS纳米晶作为掺杂材料掺入MEH-PPV中,分别制作了单层结构发光器件和多层结构发光器件,研究发现核壳结构的ZnSe/ZnS纳米晶的掺入,多层器件结构的电致发光峰位随着器件工作电压的增大而发生蓝移。