DKDP 晶体具有优良的电光与非线性光学性能,广泛应用于电光器件的制作方面,也是高功率固体激光系统中重要的光学器件材料。晶体的生长速度和晶体的质量是目前研究的热点。首先重新测定了DKDP 溶液浓度与温度的关系,得到: C₀ = 0.174+0.0038T [T 为饱和温度（℃）, 为溶液平衡浓度（g DKDP/g solution）]。本文然后采用常温溶液降温法全方位生长DKDP 晶体,经过多次实验,得到如下晶体生长工艺:点状籽晶（4×4 ×1mm³）,降温最高起始温度45.2℃,溶液pD=4.2-4.6,降温速度为0.2-1.0℃/day,平均生长速度最大为1.2mm/day,由此得到的晶体动态消光比为4012:1-4280:1,激光损伤阈值达到5.479GW/cm²,半波电压为4300-5500V。用重量法抽样测定了DKDP 晶体中的氘含量,结果显示,DKDP 晶体试样的氘含量均大于95%。本文还试图对DKDP 晶体通过掺Cs⁺进行改性,用X 射线衍射仪和X 射线荧光光谱仪分别进行了DKDP 晶体的结构分析和掺质晶体中的Cs⁺含量分析,结果显示,在仪器的灵敏度范围内,未检测到Cs⁺的存在,也未发现掺质带来的结构变化。总之,本文对DKDP 晶体的全方位生长条件、掺质改性以及所生长晶体的光学质量进行了较系统的研究,得到了一些有意义的结果,有些问题还有待于深入研究。