【摘 要】
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该论文在P型GaN,InGaN/GaN多量子阱研究及计算,InGaN/GaN多量子阱LED;白光LED方面开展了一系列研究工作.1.针对P型氧化物材料获得的困难,研究了Mg掺杂GaN的激活机制.优化并提
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该论文在P型GaN,InGaN/GaN多量子阱研究及计算,InGaN/GaN多量子阱LED;白光LED方面开展了一系列研究工作.1.针对P型氧化物材料获得的困难,研究了Mg掺杂GaN的激活机制.优化并提出了几种制备P型氮化物的方法.2.研究了MOCVD中热对流,石墨舟的倾角和反应室压力对GaN生长速率的影响.分析了GaN生长的热力学和动力学以及缓冲层的作用和演化.比较了低压生长和常压生长的优缺点.3.结合量子效应,自发极化效应,压电场效应,对InGaN/GaN多量子阱进行了计算.我们在前国内于2000年率先研制成功了GaN基白光LED.工作电流为20mA,工作电压为3.5伏时发光亮度大于1坎德拉（cd）,其结构采用了独创的球冠状结构.已申请了一项国家发明专利.拥有自主知识产权,具有极高的商业价值.正向产业化方向推进（注：该项目为该论文作者在攻读学位期间承拉的“863”项目）.
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