碳化硅半导体材料作为第三代具有宽禁带的半导体材料,其在禁带宽度、击穿电场强度、载流子饱和漂移速率、热导率、功率密度等方面具有十分明显的优势,因此受到了国内外的广泛关注,其研究前景非常广阔。基于肖特基二极管特性优良,本文采用SiC与金属W的结合构成了W/SiC肖特基二极管,并对其基本特性进行仿真分析。本文较为系统地介绍了如何利用ISE-TCAD半导体器件仿真软件对器件进行仿真,该仿真软件集成度高,功能强大,可以对不同结构的半导体器件进行构建和仿真。论文中利用该软件对SiC肖特基二极管进行了不同条件下的伏-安特性的模拟仿真,研究内容主要包括以下几个方面：W/SiC SBD在不同温度条件、不同浓度条件、不同外延层厚度以及反向击穿特性的仿真等,为了增强对W/SiC肖特基二极管的深入探究,还加入了它与P-N结二极管和Au/SiC肖特基二极管的对比仿真研究。由W/SiC肖特基二极管的伏-安特性模拟研究结果可知：1)W/SiC肖特基二极管具有较低的正向开启电压。温度越高,正向电流越小,反向电流越大。其理想因子随温度的增加而增加。低于室温时,反向电流随电压增加但并不趋于饱和。2)在外延层厚度较薄的情况下,对正向电流的影响取决于衬底浓度,对反向电流的影响,取决于外延层浓度。3)在较薄的外延层厚度和低于衬底的掺杂浓度的情况下,随着外延层厚度的增加,正、反向电流皆下降,并且反向电流下降的比例更大。4)室温下,电压高于1900V后,器件开始进入击穿状态。5)Au/SiC和W/SiC都有较低的开启电压。不同的金属功函数对正向电流基本无影响，对反向电流影响较明显。