半导体微盘激光器具有几何形状简单、体积小、低阈值、高Q值以及可集成度高等特点,可以作为大规模光子集成电路和超大规模光通信系统的理想光源,并在全光网络和光电子信息集成网络中具有重要的应用。在微盘腔中,回音壁模式占主导地位,因此保证了微盘激光器具有非常高的品质因子。本文在分析了回音壁模式的基础上,利用蜗线形变形腔,解决了传统圆对称微盘腔不能定向出光的缺点,经测试蜗线形微盘激光器的远场发散角最小为36°,光束质量较好。另外,研究了微盘激光器的关键制备工艺,包括光刻、刻蚀、欧姆接触以及封装工艺等,并根据现有实验条件优化了微盘激光器激光器的制备工艺方法,采用ICP干法刻蚀与湿法刻蚀相结合的方式,制备外壁光滑、低缺陷的腔体。最后使用ANSYS15.0有限元分析软件模拟了不同焊料封装微盘激光器的热分布情况,并得出In焊料为适宜焊料的结论。本文使用量子级联材料制备InGaAs/InAlAs微盘激光器,其光功率达到7mW。