纳米科学和技术是近几十年发展起来的前沿研究领域。纳米结构中的输运现象有着须许多多的奇妙特征,并因此受到人们的广泛关注。本文主要应用转移矩阵法研究一维晶格的量子输运问题。 全文包括四章。第一章讨论了纳米结构中的量子输运现象,主要侧重于后面计算涉及到的Aharonov-Bohm效应和共振隧穿效应。第二章就典型的低维纳米结构进行了分类讨论,包括二维量子气、准一维体系、零维纳米结构和纳米阵列结构,第三章介绍了几种常用的量子输运计算方法,包括Landauer-Büttiker方案、格林函数方法、散射矩阵方法以及转移矩阵方法。 第四章是本文的主要部分。应用转移矩阵法计算了两终端晶格系统和带有环状结构的晶格系统的电子输运性质。在不失去普遍性的前提下,本文的方案是对单模的系统展开的。本文计算了双势垒结构和多势垒结构,并讨论了不同情况下势垒高度的变化对电子输运性质的影响,计算结构表明,能量低于势垒高度的电子可以隧穿通过势垒,势垒对称时,电子更容易穿过势垒,当电子能量与势垒之间的量子阱中局域能级的能量相同时,电子的透射几率最大。此外,本文计算了带有环状结构的晶格系统,验证了阿哈罗诺夫·玻姆效应。