【摘 要】
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本文详细介绍了宽带隙半导体SiC的性质、材料制备及器件方面的研究。着重分析了以n-4H-SiC和金属Au作肖特基接触,Ti、Ni、Ag合金作背底形成欧姆接触,研制出的Au/n-4H-SiC肖特
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本文详细介绍了宽带隙半导体SiC的性质、材料制备及器件方面的研究。着重分析了以n-4H-SiC和金属Au作肖特基接触,Ti、Ni、Ag合金作背底形成欧姆接触,研制出的Au/n-4H-SiC肖特基紫外探测器的优良性能。
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