紫外探测技术主要应用于生化检测、可燃性气体尾焰探测及导弹羽烟的紫外辐射探测等领域。由于4H-SiC具有宽带隙的特点,用其制备的紫外光电探测器具有日盲特性。本文讨论了4H-SiC雪崩光电探测器的物理机理和性能参数,建立基于漂移-扩散理论的SAM-APD器件物理模型,模拟其反向I-V特性,并分析光响应灵敏度和量子效率与波长的关系。论文通过使用正交实验方法来分析SAM-APD结构各外延层厚度对紫外探测器光谱响应的影响,得到如下结论:p+层变化对探测器光电特性影响最显著,n层次之,n-层变化对性能影响不明显。在以上结论基础上优化SAM-APD的器件结构,设计了一种改进型4H-SiC SAM-APD紫外探测器,仿真结果表明这种新的结构提升了光谱响应。绘制器件版图,讨论了器件制造工艺,设计了具体的工艺步骤。分析了工艺制造中存在的问题,通过适当减小器件窗口面积的方法,来减少表面暗电流的迅速增大,达到紫外探测器的设计要求。本文对SAM-APD结构紫外探测器提供了一定的设计指导方法,设计了一种新的4H-SiC SAM-APD器件结构。为SiC材料紫外光探测器的制备和进一步研究奠定了理论基础,具有一定指导意义。