随着信息工业的高速发展,对于信息存储材料的要求也日渐上升,以往的磁性存储材料因为其尺寸效应限制了存储密度的提高。因此以单个分子作为存储单元的分子基磁性材料（单分子磁体和单链磁体）,已经成为最近几年相关领域研究的热门课题之一。本论文主要利用三氰合铁、八氰合钨以及八氰合钼三种构筑单元,在不同种类的辅助配体参与下,与过渡金属离子(Mn^Ⅱ,Fe ^Ⅱ,Ni^Ⅱ)进行自组装,构筑低维分子纳米磁体并探究结构与性质之间的关系。主要研究成果如下:（1）使用三氰基构筑单元[Bu₄N][Fe（PzTp）（CN）₃]与过渡金属离子Ni^Ⅱ离子和辅助配体4,4′-二甲氧基-2,2′-联吡啶（4,4′-dmobpy）进行组装,得到两例Fe₂^ⅡNi₂^Ⅱ化合物1和2,其中化合物2引入PF₆^-作为抗衡离子。磁性测试显示二者表现为分子内铁磁性相互作用,在低温下表现出缓慢磁弛豫行为,弛豫能垒分别为12.8 K和13.0 K,并讨论了金属离子所处的配位环境对单分子磁体行为的影响。使用[Bu₄N][Fe（PzTp）（CN）₃]与过渡金属Ni^Ⅱ和Mn^Ⅱ离子与辅助配体4,4’-双（咪唑基甲基）联苯（4,4’-bimbp）进行配位组装获得一维链状化合物3和4。化合物3表现为铁磁相互作用,并不具有缓慢磁弛豫行为,并不具有单链性质。化合物4由于C≡N–Mn较为扭曲的键角,导致磁矩相互抵消,最终仅表现为亚铁磁相互作用。（2）使用八氰基构筑单元[W^V（CN）₈]^3-与过渡金属Mn^Ⅱ和Fe^Ⅱ离子以及含氮辅助配体2,5-双（咪唑基）噻吩（dimtp）进行配位组装,合成了网状化合物5和6。化合物5表现为铁磁耦合,但是并不具有缓慢磁弛豫行为,化合物6表现为反铁磁耦合作用。使用八氰基构筑单元[Mo^V（CN）₈]^3-与二价Fe ^Ⅱ离子和辅助配体N,N’-双（4-甲基吡啶基）哌嗪（bpmp）自组装得到化合物7,同样是一例反铁磁体。