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本文采用直流和射频磁控溅射的方法，在柔性PET基片以及玻璃基片上分别制备了不同工艺条件下的ITO，GZO薄膜样品。利用X射线衍射，台阶仪，紫外-可见光-近红外分光光度计，傅里叶红外光谱仪，霍尔效应等设备对ITO，GZO薄膜样品的基本结构，力学性质，光学性质以及电学性质进行表征分析，得到不同工艺参数对ITO，GZO薄膜样品性能参数的影响，主要工作如下：一．不同的工艺参数对ITO薄膜性能的影响。（1）随着溅射气压的增加，ITO薄膜电阻率增加，最小电阻率为2.510-4.cm；晶化质量有所降低，缺陷浓度明显增加，理论模型显示薄膜中填充因子降低。（2）随着溅射时间的增加，ITO薄膜膜厚线性增加，结构表现非晶特性；电阻率明显降低，在膜厚1.3198m时最小电阻率为710-3.cm，同时迁移率单调减小；在可将光波段内，透射率略微降低，吸收率略微增加，在近红外波段，透射率则明显降低。（3）随着溅射功率增加，ITO薄膜膜厚增加；XRD衍射谱显示了ITO薄膜从非晶态向晶态的转变，主要衍射峰对应于（400）方向；电阻率明显降低，最小电阻率为1.2×10-3.cm；在可将光-近红外波段，透射率明显降低。二．缓冲层工艺参数对ITO薄膜性能的影响。（1）随着Al2O3缓冲层氧分压的增大，ITO薄膜（222）衍射峰峰强增大，半高宽增大；电阻率在氧分压达到2%时明显降低，之后几乎保持不变；在可见光波段，透射率表现出先增后减的趋势；红外发射率先减后增，与方阻表现出一定的关系.（2）随着Al2O3缓冲层厚度的增加，ITO薄膜从非晶态变为晶态，同时主要衍射峰也从（400）衍射峰变为（222）衍射峰；电阻率先减小，在缓冲层厚度37.5nm时略微增加，之后又减小，缓冲层膜厚75nm时，最小电阻率为3.53×10-4.cm；在可见光波段，平均透射率几乎不变。三．不同的工艺参数对GZO薄膜性能的影响。（1）随着溅射时间的增加，GZO薄膜膜厚增加，溅射速率有所变化；XRD衍射谱显示，所有薄膜表现出晶态，并且主要衍射峰从（002）衍射峰变为（101）衍射峰；电阻率单调增大，最小电阻率为2.74×10-3.cm；载流子浓度和迁移率变化较小，在膜厚810nm时，最小迁移率为5.91cm2V-1s-1；由反射谱得到电子的有效质量，变化趋势与迁移率相反，利用金属碰撞模型得到弛豫时间为0.11±0.01s；在可见光-近红外波段，透射率变化不明显；禁带宽度随着载流子浓度和迁移率变化，可以用Burstein-Moss关系式解释。（2）随着溅射功率的增加，GZO薄膜晶化质量明显增加，主要衍射峰从（002）变为（101）；SEM结果显示，晶粒尺寸明显增大，同时表面平整性严重降低；电阻率明显减小，在溅射功率336W时略有增大，最小电阻率为2.8110-3.cm；载流子浓度先增后减，迁移率表现出相同的变化趋势；在可见光波段，透射率先增后减，但变化幅度较小，而在近红外波段，变化幅度明显增大，在274W时透射率最小。