半导体桥失效机理研究

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SCB火工品发展迅速,但是目前还未见对其失效机理进行研究的文献资料报道。本论文分别以温度、温湿度和热冲击作为加速应力,在试验条件下激发SCB失效,分析SCB发生失效的物理化学过程,从而达到探索SCB失效机理的研究目的。本文介绍和分析了高温加速寿命、高温高湿加速寿命、热冲击等试验的试验原理、标准、条件等;解释了SCB的失效现象并指出了SCB的失效模式和失效机理;分析了有关半导体器件典型失效诱因对SCB失效的影响;对SCB的贮存寿命进行估算并检验其抵抗温度剧变能力。本研究的主要结论如下:(1)温湿度应力下,SCB样品有3种失效模式:(a)键合Al丝点蚀失效模式。其失效机理是温湿应力下Al丝表面缺陷部位发生电解腐蚀,生成氢氧化铝形成高阻。(b)键合Al丝剥蚀失效模式。其失效机理是酸性药剂作腐蚀介质加速晶间腐蚀,Al丝腐烂。(c)断脚失效模式。其失效机理是温湿应力下脚线可伐合金的表面缺陷部位发生电解,阳极溶解和氢致开裂。(2)热冲击应力下,SCB样品有1种失效模式:Al丝剥蚀失效。其失效机理与温湿应力下Al丝剥蚀失效机理相同。(3)温度单应力下,SCB样品并未发生失效。(4)在温度、温湿度或热冲应力下,栅氧化层击穿、金属迁移、SiO2氧化层电荷、Au-Al化合物、Al金属化再结构、非平衡载流子复合等半导体器件的典型失效因素并不能导致SCB失效。(5)SCB的贮存寿命:(a)温度单应力下,SCB的贮存寿命大于31年。(b)温湿度双应力下,Au丝样品、Al丝未涂药样品、Al丝非裸丝涂Pb(SCN)2样品和Al丝裸丝涂LTNR样品的贮存寿命大于15年;Al丝裸丝涂Pb(SCN)2样品因发生Al丝剥蚀失效,贮存寿命为4年。(6)贮存中,SCB抗温度剧变的能力:Au丝样品、Al丝未涂药样品、Al丝非裸丝涂Pb(SCN)2样品和Al丝裸丝涂LTNR样品通过热冲击检验;Al丝裸丝涂Pb(SCN)2样品未通过热冲击检验。
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