基于ALD制备Hf_xZr_(1-X)O_2铁电薄膜及其电学性能的研究

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【摘要】

：

铁电薄膜材料在微电子行业各个领域中都有着广泛的应用,比如锆钛酸铅(PZT)、钛酸锶钡(BST)等众多钙钛矿型结构的铁电材料早已被大量应用于记忆存储的电子器件中。但是,将铁电材料应用在硅基存储器上仍然面临着一些问题的困扰,例如缩放极限和不兼容的CMOS技术等。Hf_xZr_(1-x)O_2系列(HZO)铁电薄膜因其高介电常数、强铁电极化、良好的Si工艺兼容性与易于制备纳米级厚度薄膜等优点,引起了微电

【作者】

：

刘晶晶

【发表日期】

：

2021年05期

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