硅基键合技术的理论和工艺研究

来源 :中国科学院半导体研究所 | 被引量 : 0次 | 上传用户:hulianwu2009
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该论文首先介绍了硅片直接键合的原理,研究了硅片直接键合工艺和硅片键合办是非曲直反应的动力学机制.比较了硅本征氧化层与硅热氧化层两种键合办是非曲直反应行为.给出了硅片发生键合所要求的表面平整度和吸附张力条件,讨论了硅片的最大应力及其应力分布方式,以及接触表面的形变范围,分析了硅片的接触面积,荷载压力和形变位移之间的关系.给出了估计接触波速的弹性力学方法.分析了键合的注氢硅片表面薄膜剥离的热动力学过程,并获得了智能剥离工艺的参数.该论文讨论了退火时界面原子扩散引起的表面形变和硅-氧化硅界面热应力弛豫.通过p-Si/n-Si键合界面的伏安特性、扩展电阻以及TME图像分析了热应力对键合界面的影响.
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