二维（2D）磁性材料因其高迁移率和高于室温的相变温度而引起了凝聚态物理领域的广泛关注。特别是,二维磁性材料是设计自旋电子学器件的理想平台,在信息存储设备和压力传感器中具有潜在的应用。最近实验发现的二维磁性材料有Cr I3、Cr2Ge2Te6和Fe3Ge2Te2等。一般来说,获得二维材料的实验方法是从其块体中剥离出层状结构。与铁磁（FM）材料相比,反铁磁（AFM）材料具有以下优点:无退磁化效应、超快动力学、能够产生大的磁输运效应。到目前为止,二维磁性材料的研究面临两个挑战。首先,现有实验中磁性不稳定,磁转变温度相对较弱,严重阻碍了实际应用。其次,反铁磁自旋电子学的概念虽然已经提出很长时间,但其应用方面的相关研究尚未探索。为了应对这些挑战,我们提出了寻找和研究高迁移率、相变温度接近室温、甚至存在外磁场诱导的量子反常霍尔效应的二维磁性材料。本文基于第一性原理计算,研究了Fe2Ga2S5和AMn Bi（A=K,Rb,Cs）两类反铁磁材料的物理性质,主要包括:1.我们发现二维Fe2Ga2S5是一种平行于平面方向的zigzag型反铁磁材料,其Néel温度约为160 K。基态的能带结构表明,它是一种间接带隙约为0.9 e V的半导体,这个带隙可以通过晶格应变进行有效调控。此外,我们还发现载流子输运具有高度各向异性,电子迁移率高达103cm2V-1s-1数量级,远高于空穴。这些奇特的电子特性使得二维Fe2Ga2S5有望实用于未来自旋电子学。高迁移率磁性材料无论从基础研究还是应用研究的角度,都是一个有趣的课题。2.基于第一性原理计算,我们还研究了已合成的AMn Bi（A=K,Rb,Cs）族材料的物理性质。我们证明了这些材料具有反铁磁性,Néel温度高于300 K,其中都含有反铁磁有序的Mn层,而层间耦合从KMn Bi的铁磁到Rb Mn Bi和Cs Mn Bi的反铁磁的耦合变化。我们发现这些材料都是窄带隙半导体。由于有效质量小,KMn Bi的电子迁移率非常高,可达105cm2V-1s-1数量级。相反,它的空穴迁移率被抑制,通常降低两个数量级。我们进一步研究了它们的单层结构磁性是反铁磁,具有相当高的迁移率(约103cm2V-1s-1)。它们的Néel温度仍然可以达到室温。更有趣的是,我们发现反铁磁-顺磁相变伴随着金属-绝缘体相变,其中顺磁性金属相具有一对受非简单对称性保护的二维Dirac点。此外,外加应变可以有效地调控磁性。当磁序转化为铁磁时,系统可以成为量子反常霍尔绝缘体,具有无间隙手性边缘态。