ZnO由于较宽的带隙(3.37 eV)和室温下高的激子束缚能(60 meV)，使其具有独特的光学、电学和光电转换等特性，ZnO及其相关一维纳米结构在纳米器件的制作中具有十分重要的应用，尤其在光电器件领域应用广泛。本文利用化学气相沉积法制备纳米线，采用微栅模板法制作微电极，研究了单根 ZnO、In掺杂 ZnO及ZnSxSe1-x纳米线的光电性质。单根ZnO及其相关一维纳米结构的电学性质及微电极的研究，将为光电器件的微型化奠定实验基础。　　利用化学气相沉积法制备了ZnO、In掺杂ZnO及ZnSxSe1-x纳米线。采用成本低廉、操作简单的微栅模板法制作单根ZnO纳米线欧姆接触的微电极、单根In掺杂ZnO纳米线肖特基接触的微电极。选用325 nm的He-Cd激光器做为光源，进一步探究了单根In掺杂ZnO纳米线的光响应特性。实验发现：紫外光辐照可使金属电极与纳米线之间的有效肖特基接触势垒下降，使接触类型由肖特基接触转变到欧姆接触；撤去紫外光后，电极与纳米线之间的接触可以恢复到未光照时的肖特基接触。讨论了肖特基接触与欧姆接触之间转变的物理机制。　　为了进一步探究纳米材料的光电特性，应用微栅模板法制作单根 x=0.28，x=0.46，x=0.66的ZnSxSe1-x纳米线的微电极。选用325 nm的He-Cd激光器做为光源，进一步探究了x=0.46、x=0.66时，单根ZnSxSe1-x纳米线器件的光响应特性。实验结果表明，x=0.66的ZnSxSe1-x纳米线对紫外光较为敏感，当源漏电压为1V时，光电流与暗电流之比约为250，ZnSxSe1-x纳米线的光电流响应时间2.8s，衰退时间67s。ZnS0.66Se0.34纳米线对紫外光响应和恢复的时间比ZnS0.42Se0.58纳米线稍长。