【摘 要】
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本工作采用Monte Carlo方法，根据辉光放电理论，利用“伪碰撞”技巧和重整化方法成功模拟了电子在非均匀电场中的输运过程。通过研究电子的雪崩过程及各种正离子的分布情况，计算了采用电子辅助热丝化学气相沉积(EACVD)技术低温合成金刚石薄膜过程中的电场分布及其变化规律，结果指出在某些气压、偏压下，阳极附近将出现反向电场，该反向电场在金刚石薄膜的低温合成中起重要作用。所得结果为建立EACVD低温合
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本工作采用Monte Carlo方法，根据辉光放电理论，利用“伪碰撞”技巧和重整化方法成功模拟了电子在非均匀电场中的输运过程。通过研究电子的雪崩过程及各种正离子的分布情况，计算了采用电子辅助热丝化学气相沉积(EACVD)技术低温合成金刚石薄膜过程中的电场分布及其变化规律，结果指出在某些气压、偏压下，阳极附近将出现反向电场，该反向电场在金刚石薄膜的低温合成中起重要作用。所得结果为建立EACVD低温合成金刚石薄膜的气相动力学模型提供了可靠的理论依据。
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