本文在微波电子回旋共振(MW-ECR)等离子体辅助下,分别利用射频非平衡磁控溅射和高压脉冲非平衡磁控溅射两种方法,以高纯单晶Si、高纯石墨为靶材,氩气为溅射气体,制备了富硅碳化硅薄膜,然后将制备的薄膜退火处理以形成Si纳米颗粒镶嵌在SiC基体中的薄膜材料。分别使用傅立叶变换红外吸收光谱(FT-IR)、X射线衍射谱(XRD)、x射线光电子能谱(XPS)、台阶仪和光致发光光谱(PL)等表征方法研究了不同沉积参数下制备的不同薄膜的化学结构,元素配比,膜厚的变化以及发光性能。测试结果表明：11利用射频非平衡磁控溅射法制备的富硅碳化硅薄膜,Si靶的溅射功率和制备薄膜的退火温度对薄膜的结构和发光性能有影响。室温下制备的薄膜,Si靶射频功率变化对薄膜的结构影响不是很明显,对发光性能却有很大的影响；室温下制备薄膜进行退火处理后,退火温度对薄膜的结构和发光性能的影响都很明显,而且随着退火温度的升高,Si-C红外吸收峰蓝移。2)利用高压脉冲非平衡磁控溅射法制备的薄膜,由XPS结果可知不管是室温下制各薄膜还是退火后处理的薄膜都是富Si的SiC薄膜；FT-IR的结果说明室温下制各的薄膜中含有Si-C键和少量的Si-H键,经退火后处理薄膜中的Si-H键断裂,有更多的Si-C键形成,并且变得均匀有序；XRD结果证明了室温下制备的薄膜是非晶SiC薄膜,当退火温度Ta≥900℃时薄膜中富余的Si析出形成Si纳米颗粒；PL结果显示薄膜在414nm和436nm处有两个发光峰,随着退火温度的升高,发光峰的强度明显增强,但是峰位几乎没有变化。