CMOS作为集成电路领域中一个极为重要的部分,其测试研究工作对于保证集成电路产品的质量具有重要的实际应用意义。电流测试技术作为传统电压测试技术的一种有效补充,能够检测到传统电压测试所不能检测到的一些故障,而瞬态电流IDDT测试区别于静态电流IDDQ测试,能检测到一些后者也检测不到的故障,更有其检测速度更快的优点,从而使其成为一种倍受关注的新兴检测技术。　　本文从仔细分析CMOS电路主要电流组成成份的物理意义及其对电路质量和可靠性的影响入手,研究了单周期IDDT均值的算法模型,深入分析了瞬态电流的特性,证明了瞬态电流确实比静态电流具有更丰富的故障信息;基于PSPICE仿真平台,研究了组合逻辑电路和SRAM存储单元中不影响功能的弱故障的IDDT特性,并进行了故障模拟及检测的仿真,仿真结果表明,IDDT信号确实能够检测出功能测试无法检测的弱电阻桥接和开路故障;针对通用性较强的CMOS电路片外IDDT测试结构,设计了基于信号处理技术的非积分式电流传感器和基于平均值计算的积分式电流传感器,两种传感器都取得良好的噪声抑制能力和较高的工作频率,同时探讨了关于取样电阻选取的问题。