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柔性电子是一门新兴的电子技术,具有广泛的应用前景。柔性磁电声表面波谐振器可以摆脱刚性衬底对磁致伸缩层杨氏模量效应的束缚,可应用于高灵敏度的磁传感领域。然而,在柔性衬底上集成磁致伸缩层和压电层具有很大的工艺难度,限制了这一领域的发展。本论文提出在聚酰亚胺PI衬底上依次集成FeCoSiB磁致伸缩薄膜和ScAlN压电薄膜,然后制作叉指换能器IDT,形成IDT/ScAlN/FeCoSiB/PI柔性衬底结构。本论文在设计仿真基础上,通过选材和集成工艺方面的详细探究,最终成功获得了柔性磁声表面谐振器。首先,用COMSOL软件建立模型对器件进行电-声分析,合理设计叉指换能器并选择磁致伸缩层和压电层的厚度,证明了器件工作的可行性,该器件具备了瑞利波和A1模态兰姆波的传播特性。接着,在Si衬底上探究了重要膜层的制备工艺。溅射时原位施加270 Oe的偏置磁场获得了具有单轴各向异性的FeCoSiB薄膜,研究了气压和功率对磁性能的影响。为了抑制厚度增加可能导致的垂着各向异性,在每层磁性薄膜之间插入SiO2薄膜形成了FeCoSiB/SiO2多层膜,探究了退火对更厚多层膜性能的影响。接着探究了氮氩比、偏压、退火温度对ScAlN薄膜取向的影响,最终得到摇摆曲线半高宽为3.2o,表面粗糙度为1.32 nm,适用于声表面波谐振器的ScAlN压电薄膜。最后,完成了柔性MSAW器件的制备。首先在柔性PI衬底涂覆PI层和亚胺化处理,较好的解决了衬底平坦化问题。在该衬底上溅射制备了FeCoSiB非晶磁致伸缩薄膜,制备后的多层膜在150℃热处理一个小时,解决了应力造成的柔性器件表面起伏,获得了具有良好软磁性能的FeCoSiB多层膜。接下来在上述的柔性FeCoSiB/PI衬底上沉积了ScAlN薄膜,考虑到溅射功率高导致的衬底积热和热膨胀系数失配问题,采用分时多次和硬掩膜版溅射的办法获得ScAlN厚膜。最后采用光刻和lift-off工艺在ScAlN/FeCoSiB/PI衬底上制备了指宽为6μm,波长为24μm的叉指电极换能器。本论文使用矢量网络分析仪和微波探针台测试了柔性磁电声表面波谐振器的S11参数。测试结果表明:器件在10-120 MHz范围存在两个谐振峰,分别为28.32和93.69 MHz。通过与COMSOL仿真结果对比,28.32 MHz谐振模态为瑞利波,93.69 MHz谐振模态为A1广义兰姆波。计算分析了器件不同谐振频率下的波速、机电耦合系数和品质因数。在28.32 MHz频率下的波速为680 m/s,Q值为8.79,K2为9.70%12.2%;94.25 MHz频率下为2248 m/s,Q值为12.66,K2为5.1%。