近年来，在便携电子产品推动下，作为主流存储器件技术的FLASH技术受到了越来越大的挑战。虽然摩尔定律还能够预测目前半导体工艺的发展，但是22nm的工艺水平已经很难在继续减小下去，FLASH技术的存储器越来越难满足人们的需求了。这时人们不得不找寻新的技术方法来满足我们对于存储设备的要求。在众多的新型非挥发性存储器中，阻变式存储器（RRAM）因具有简单的结构、可高密度集成、较小的编程电流、低功耗、高速度读写能力以及与目前传统的CMOS工艺兼容性好等优点，被认为是最有希望的下一代非挥发性存储设备。通过电压激励，RRAM存储器件单元的电阻能够实现高阻态与低阻态的转换，实现数字“1”和“0”的存储。目前科学家们主要研究二元金属氧化物基的阻变存储设备，这是因为这种材料的结构简单以及制作简单，逐渐成为新型存储器领域的的主要研究材料。本文首先介绍了RRAM阻变存储器基本原理和研究现状，并根据RRAM研究的相关机理，提出用数学公式与建模仿真相结合的方法，对几种不同类型的RRAM机理进行探索。其次学习和使用了COMSOL Multiphysics软件，并对对RRAM中的VCM型的两种单元结构进行器件建模和仿真。最后，根据仿真结果，验证了VCM理论的解释阻变机制的合理性，对RRAM存储器的未来发展提出了一系列建议。