本论文主要研究内容为功率VDMOSFET终端结构的击穿特性。对一款700VVDMOSFET终端结构进行了优化设计。首先研究了半导体功率器件雪崩击穿的条件和机制,代入无限大平面结和突变柱状结的边界条件得到击穿电压的解析方程。通过对无限大平面结的研究,发现平面结与外延层参数的选取有直接关系,因此可以推导计算出外延层浓度和厚度参数,通过仿真验证,计算出来的外延层参数与实际的仿真结果误差很小。突变柱状结主要用于主结击穿电压的研究,结果表明柱状结的曲率半径与结的击穿电压有直接关系,曲率越小,结的击穿电压越高,这也为其他终端技术提供了理论基础。然后介绍了几种常见的终端技术,对横向变掺杂技术做了简要分析,对场限环技术,终端场板技术做了详细分析和仿真验证。通过改变场限环结深,场限环间距,复合场板结构,探究其与终端击穿特性之间的关系。之后提出了一种高压功率器件改进场板的方法与设计,通过调节金属-多晶硅复合场板结构,使金属浮空场板的边缘覆盖住多晶硅浮空场板的边缘,最终使场板内部的场强相互削弱,减小表面最大电场。基于此理论,做了一组采用传统金属-多晶硅复合场板和改进后的金属-多晶硅复合场板结构的VDMOSFET终端仿真验证。通过上文对终端技术的研究,本文设计了一款4个场限环外加金属多晶硅复合场板结构的VDMOSFET,通过对外延层参数的优化,场限环位置和个数的选取,金属-多晶硅复合场板参数的调节,最终在151μm的有效终端长度上设计了一款耐压为772V的终端结构,在保证相同耐压前提下比其他文献中的同类终端节约芯片面积26%。