论文部分内容阅读
Ga_2O_3作为宽禁带的半导体氧化物材料,在光电、压电、气敏、光敏等领域具有广阔的或潜在的应用前景。目前国内外对Ga_2O_3材料的研究主要集中在利用多晶以及单晶的Ga_2O_3制备出性能良好的日盲紫外探测器,单晶Ga_2O_3作有源层可以得到良好的紫外探测性能,但制备成本高昂,多晶Ga_2O_3薄膜结晶质量较差,作有源层其导电性能太差,不利于作为器件使用。具有高度择优取向的Ga_2O_3薄膜介于多晶与单晶之间,具有良好的光电性能。本文在此基础上,以碳化硅和蓝宝石作为衬底,采用磁控溅射法制备择优取