【摘 要】
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薄膜晶体管(TFT)作为平板显示器(FPD)中的重要部件,在过去十几年中受到了特别的关注。尤其是像In_2O_3基(IGZO)的透明金属氧化物半导体,由于In~(3+)的s轨道是高度的球形对称导致In_2O_3 TFT有高的迁移率。此外,金属氧化物半导体均匀性好,透明性高以及制备工艺简单等优势使其广泛应用于新型显示驱动TFT中。但是In_2O_3具有较大的关态电流,负的阈值电压和较差的稳定性,这限
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薄膜晶体管(TFT)作为平板显示器(FPD)中的重要部件,在过去十几年中受到了特别的关注。尤其是像In_2O_3基(IGZO)的透明金属氧化物半导体,由于In~(3+)的s轨道是高度的球形对称导致In_2O_3 TFT有高的迁移率。此外,金属氧化物半导体均匀性好,透明性高以及制备工艺简单等优势使其广泛应用于新型显示驱动TFT中。但是In_2O_3具有较大的关态电流,负的阈值电压和较差的稳定性,这限制了其在FPD中的应用。因此需要选择合适的掺杂剂来提高器件的开关比,阈值电压和稳定性,相较于传统的真空薄
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