纯铜由于极其优异的导电性能被广泛的应用在电子、机械和国防等工业领域,然而铜较低的强度,限制了其在重要领域的应用,因此开发中高强度,具有高导电性的铜很有必要,因此本研究采用CSPD（Complex SPD,复合SPD）技术对纯铜强化。本文以电沉积纯铜和单晶铜两种纯铜为研究对象,电沉积纯铜采用ECAP挤压一道次后进行室温和液氮超低温条件下不同形变量的轧制;单晶铜则在液氮超低温条件下多路径不同道次的挤压,对所得样品进行四种不同温度下退火保温1小时的处理。运用OM、XRD、SEM、EBSD等手段检测纯铜在形变过程中的组织演变,对不同状态下纯铜的力学性能和导电性能进行检测,分析不同形变因素对纯铜性能的影响。结果表明,电沉积纯铜ECAP挤压后轧制,伴随着轧制量的增加,纯铜组织中晶粒不断地沿着轧制方向被拉长,轧制形变量达到75%时,产生了较多相互交割的孪晶组织;XRD结果表明随着轧制量的增加,晶面择优取向由最初的（111）转变为（220）。在不同温度条件下进行轧制,材料的硬度和抗拉强度随着轧制形变量的增加在缓慢增加,而导电率有所下降;在相同轧制量下,液氮超低温条件下的力学性能略高于室温的,而导电率略低。室温轧制量75%后材料硬度为131.5 HV,抗拉强度为320.8 MPa导电率降到96.8%IACS;液氮超低温轧制75%后材料硬度为136.9 HV,抗拉强度为328.8 MPa,导电率降到96.1%IACS。单晶铜在液氮超低温ECAP挤压多道次后,原始单晶组织中出现密集分布的剪切带,A路径6道次后形成具有取向很一致的纤维组织,Bc路径6道次后出现弯曲分布且相互平行较宽的剪切带,C路径6道次之后出现更加细小的密集分布均匀的剪切带。多道次挤压后,晶面择优取向以（111）为主,在4道次挤压后,位错密度A路径最大,其次是C路径,最小的是Bc路径,而且三种路径的挤压均出现了以{111}＜112＞为主的织构。随着挤压道次的提高,材料导电率小幅度下降,整体上导电率规律为Bc路径＞C路径＞A路径,其次材料力学性能有了大幅度提高,在6道次挤压之后,A路径抗拉强度和硬度比其他两种路径的大,但C路径的延伸率高。对挤压态的单晶铜在四种不同退火温度下（150℃、200℃、250℃和300℃）保温1小时后,导电率随着退火温度的增加而提高,各路径6道次在退火温度达到300℃时其相较于原始挤压态的导电率增加幅度最大;在退火温度为150℃时,三种不同路径的1道次和2道次由于低温退火强化现象,出现了强度略高于挤压态的现象。