纳米材料由于独特的量子效应在光电领域有着良好的应用前景。其中InP纳米材料由于具有和CdSe相近的能带结构、较低的毒性以及可调谐的覆盖可见光和近红外波段的发光波长成为最有应用前景材料之一。纳米材料应用主要集中在其光学性质方面,以前的研究主要集中在Cd基纳米材料上,对于InP纳米材料的研究很少,这就是本课题研究的出发点。本课题主要对ZnS壳层钝化的InP纳米材料的光学性质开展了研究工作,系统的研究了InP/ZnS纳米材料的光学性质。采用溶剂热法得到高质量的InP/ZnS量子点样品,并对制备的样品进行退火处理。通过变温与变功率的荧光光谱对样品进行表征,从而得到退火对样品光学性质的准确影响。为之后以InP/ZnS纳米材料为基础的LED、激光器、探测器的研究提供了技术支持。通过Z-scan技术研究InP/ZnS量子点的非线性光学性质。为InP/ZnS量子点在非线性光学器件、光限幅领域的应用提供基础支持。