掺杂ZnO一维微纳米结构的制备及性能研究

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本论文采用碳热还原法分别合成了Co.Sn和Na掺杂ZnO一维微纳米结构,研究了样品的发光性能、电学性能和光电导性能。主要结论如下:1.Co掺杂ZnO:Co掺杂引起紫外发光峰蓝移至382nm左右,说明Co掺杂可以改变ZnO的发光特性。单根Co掺杂ZnO微纳米棒晶界电阻远远大于晶粒电阻,其与银导电胶电极间形成良好的欧姆接触。观察响应光谱可知Co掺杂ZnO对紫外光和可见光都有光电流响应,但紫外光波段的响应度更大,响应峰值在360nm,且随着紫外光的开关产生的电流响应具有重复性和周期性。2. ZnO/Zn2SnO4复合氧化物:紫外发光强度随着激发强度的增加出现先减小后增加的情况;可见光区域只有激发强度为0.1I0时才出现明显的发光峰。ZnO/Zn2SnO4微纳米棒的晶界电阻值达到兆欧级别,其与电极之间的接触为欧姆接触。光谱响应曲线说明对光的响应波长范围较广,存在3个明显的响应峰,分别位于332nm、376nm和767nm。3.Na掺杂ZnO:光致发光谱的紫外光峰位中心处于377nm,且紫外发光强度随着激发强度的增加而翻倍地增加。可见光区的发射强度则相反,随着激发强度的增加,其发射强度降低。Na掺杂ZnO与电极之间的接触变为肖特基接触。Na掺杂较Co掺杂ZnO对紫外光的光电响应度更大,且稳定性更好,更加适合用来构筑紫外光电探测器。
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