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氧化锌(ZnO)作为一种多功能的宽禁带直接带隙半导体材料，具有六角纤锌矿型的晶格结构，室温下禁带宽度约为3.37eV。ZnO薄膜材料具有禁带宽，载流子迁移率高等优异的半导体特性，对可见光的透射率很高。可以在较低的温度下，以高质量的薄膜形式沉积在不同的衬底(如硅片，石英，玻璃和塑料)上。ZnO作为场效应管有源层其高迁移率可以满足OLED等电流驱动器件所需的大电流，同时可解决传统硅基场效应管不透明的缺点。用ZnO作为有源层制备高性能的透明薄膜场效应管(ZnO-TFT)对于可见光部分平均透射率超过80％，可以大大提高像素开口率。本论文研究共包括以下三个方面：
(1)采用溶胶-凝胶方法和射频磁控溅射方法制备性能优良的ZnO薄膜，并对薄膜生长规律，制备工艺，掺杂规律等进行了深入研究，为透明氧化物薄膜半导体材料及透明电极的制备奠定基础。
(2)全透明ZnO-TFT的制备：用溶胶-凝胶法制备性能优良的ZnO薄膜作为有源层，SiO2作为栅绝缘层，ITO做透明电极。制备出了全透明底栅结构的透明薄膜场效应管，研究了其光学和电学特性，测量得其对可见光的透射率超过80％。
(3)研究了在低温条件下用R-F磁控溅射法制备ZnO薄膜作为有源层的透明薄膜场效应管的光电特性，在柔性衬底上制备出透明薄膜场效应管。
实验发现磁控溅射方法制备的全透明薄膜场效应管其可见光平均透过率超90％。其电学性能也更加优越。