MAX相是一类层状碳化物或氮化物,独特的晶体结构使其兼具金属与陶瓷的优良性能,具有着广阔的应用前景。然而,A元素晶须生长使人们对MAX相结构的稳定性及其在服役过程中的可靠性产生质疑。本课题以Ti2InC为研究对象,从晶须生长的原子来源和驱动力等方面研究Ti2InC表面In晶须生长机制。主要研究内容和成果如下:利用无压烧结法,以Ti、In和石墨粉为原料,通过优化烧结参数及原料组分合成了纯度为94 wt.%的Ti2InC相。利用热分析、物相表征等手段讨论了Ti2InC的合成机理与路径。Ti2InC在室温、空气环境下可生长In晶须,晶须表面覆盖一层极薄的多晶氧化层。In晶须与合金镀层等其他体系中生长的金属晶须具有相似的形貌特征。Ti2InC/In样品的表观密度、In含量和培养环境显著影响In晶须生长。In晶须生长趋势随样品表观密度增大而增强,而随In含量的增加,In晶须生长趋势先增强后减弱。在100°C下,In晶须生长趋势最明显,而相同培养温度下,晶须生长趋势随湿度的升高呈减弱的趋势。相同温湿度下,晶须在空气气氛中的生长趋势要明显强于Ar气氛。对照Ti C/In和Si C/In等体系,研究了界面能对晶须生长的驱动作用。与Ti C/In和Si C/In样品相比,Ti2InC/In样品中的Ti2InC硬度低,球磨时易断裂,形成更多Ti2InC-In界面,为晶须生长提供了更多的驱动力。晶须生长的趋势差异及热分析曲线证明了界面能驱动晶须生长的合理性。通过Ti2InC/A和Ti2AC/In（A=Al、Sn）交叉实验,研究了Ti2InC/In中In晶须生长的元素来源。在Ti2InC/A和Ti2AC/In中,当In-A之间作用较弱时,晶须生长的元素来源主要由体系中单质提供。当In-A之间作用较强时,晶须生长元素来源由单质和MAX相解离面处A共同提供。