铝酸镁和铝酸镧衬底TiO2外延薄膜的制备与性质研究

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【摘要】

：

近年来,透明电子学和透明氧化物光电子学迅速发展,引起了人们的广泛关注,这使得宽带隙氧化物半导体材料越来越受欢迎。作为宽带隙氧化物半导体材料,TiO_2具有许多良好的性质,例如高介电常数、大折射率、光化学活性活泼和稳定的物理化学性质,因此被广泛用于平板显示器、光催化、透明导电氧化物(TCO)、场效应晶体管和太阳能电池等许多领域。本论文采用MOCVD方法分别在铝酸镁(MgAl_2O_4)和铝酸镧(La

【作者】

：

徐海胜

【机构】

：

山东大学

【发表日期】

：

2017年05期

【关键词】

：

TiO2 MOCVD MgAl2O4 LaAlO3 锐钛矿

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